下列关于上芯制具原材料使用描述正确的是（)

A.卸下的旧吸嘴可以在清洗后继续使用

B.卸下的旧顶针交制具管理员

C.粘片胶过期后必须回收，不能继续使用

D.报废框架无变形异常的可用来继续调机使用

A.顶针

B.劈刀

C.吸嘴

D.粘接头

A.产品有无压划伤

B.崩单晶

C.顶针印迹

D.旧吸嘴有无粘片胶或外来物沾污状况

E.粘片胶厚度

A.旧吸嘴

B.高倍镜检记录

C.贴有旧吸嘴的高倍镜检记录

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次

B.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

C.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

D.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

A.上芯设备三点一线偏移

B.顶针高度调试不当

C.顶针规格选用错误

D.吸嘴规格选用错误

A.上芯顶针痕迹检查频次为1次/批

B.在100X显微镜下检查顶针痕迹时，如果顶针痕迹不清晰，未造成明显的不良，则判定为合格

C.MOSFET产品在100X显微镜下检查时，如有顶针印记，则判断为不良

D.在监控顶针痕迹时，必须使用设备的pickdie功能从晶圆上吸取芯片做样品监控，不允许使用镊子从兰膜上直接夹取

A.清理干净旧密封垫

B.不必清理

C.旧的继续使用，不必

D.随意处理旧密封垫

A.TCD清洗时可以选用丙酮、乙醚、十氢萘等溶剂反复清洗，根据污染物的性质先选用高沸点溶剂，再用低沸点溶剂

B.清洗TCD时可以污染物的性质选用适当的溶剂装满检测器的测量池，浸泡一段时间后倾出，直至倾出的溶液比较干净为止

C.FID玷污比较严重时，必须卸下清洗，先放入水中浸泡，再选用溶剂如甲醇、丙酮、氯仿、苯等浸泡清洗

D.FID卸下清洗，先放入水中浸泡，再选用适当溶液如甲醇－苯等浸泡或超声波清洗

A.更换吸嘴后的首条产品，作业员送高倍检验员按照控制计划要求进行检验(一条产品的左中右区域各检3颗)，确认合格后在《上芯高倍显微镜检验记录》上盖合格章

B.高倍检验时如发现吸嘴有破裂或沾污情况，应反馈工程人员

C.上芯过程中如修改设备顶针参数，不需确认芯片背面顶针痕迹