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[多选题]

关于双芯片上芯产品的上芯控制要求,以下哪些说法是正确的()

A.双芯片上芯产品,一次上芯应先加工导电胶粘片的产品

B.一次上芯后,应进行烘烤后,方可进行二次上芯

C.二次上芯产品烘烤后,可以放置在生产现场的货架上,不必要放在氮气柜中

D.双芯片上芯产品,应优先粘MOS芯片

E.DIP双芯片产品,如发现MOS芯片使用DAD系列粘片胶的,应立即停机反馈

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第1题

关于双芯片上芯产品的上芯控制要求,以下()说法是正确的。

A.双芯片上芯产品,一次上芯应先加工导电胶粘片的产品

B.一次上芯后,应进行烘烤后,方可进行二次上芯

C.二次上芯产品烘烤后,可以放置在生产现场的货架上,不必要放在氮气柜中

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第2题

关于双芯片上芯产品的上芯控制要求,以下哪些说法是正确的()

A.优先加工导电胶芯片

B.随便可以加工

C.一次上芯后可以不烘烤上二次

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第3题

造成芯片位置不良的因素有()。

A.芯片位置调整错误(角度、方向、位置超出压焊图及质量标准要求)

B.上芯设备调试不当

C.因装片胶中有异物等原因导致芯片不平整(平整度大于1mils)

D.上芯后产品传递不规

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第4题

对于待二次上芯的产品,作业员在加工前必须根据产品的()找到一次上芯完的产品。

A.流程卡

B.晶圆管制卡

C.晶圆上芯数统计表

D.中测单

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第5题

一次上芯完烘烤后的产品,按照封装形式放到指定的(),等待二次上芯。

A.上芯货架

B.上芯氮气柜

C.上芯机

D.小货架

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第6题

划片转序上芯的晶圆必须放置在()。

A.上芯待加工产品氮气柜

B.上芯设备上

C.小货架

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第7题

造成芯片位置不良的因素有()。

A.芯片位置调整错误(角度、方向、位置超出压焊图及质量标准要求)

B.上芯设备调试不当

C.因装片胶中有异物等原因导致芯片不平整(平整度大于1mils)

D.引线框架上料未核对方向

E.上芯后产品传递不规范

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第8题

以下说法正确的有()。

A.更换吸嘴后的首条产品,作业员送高倍检验员按照控制计划要求进行检验(一条产品的左中右区域各检3颗),确认合格后在《上芯高倍显微镜检验记录》上盖合格章

B.高倍检验时如发现吸嘴有破裂或沾污情况,应反馈工程人员

C.上芯过程中如修改设备顶针参数,不需确认芯片背面顶针痕迹

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第9题

上芯机生产的产品单个空洞面积()芯片面积为不良,合计空洞面积芯片面积为不良。

A.>3%

B.>5%

C.>3%

D.>10%

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第10题

上芯工序首检核对项目()。

A.流程卡加工特征

B.压焊图

C.框架规格型号

D.粘片胶型号

E.流程卡备注要求

F.上芯产品外观品质

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