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[单选题]

PN结正偏的特性是()。

A.正偏电阻小、正偏电流大

B.正偏电阻大、正偏电流大

C.正偏电阻小、正偏电流小

D.正偏电阻大、正偏电流小

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第1题

PN结正偏的特性是()

A.正偏电阻小、正偏电流大

B.正偏电阻大、正偏电流大

C.正偏电阻小、正偏电流小

D.正偏电大、正偏电流小

E.无

F.无G.无H.无

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第2题

欲使三极管具有电流大能力,必须满足的条件包括()

A.发射结正偏

B.发射结反偏

C.集电结反偏

D.集电结正偏

E.基极反偏

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第3题

晶体三极管电流放大的外部条件是()

A.发射结反偏,集电结反偏

B.发射结反偏,集电结正偏

C.发射结正偏,集电结反偏

D.发射结正偏,集电结正偏

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第4题

晶体三极管电流放大的外部条件是()

A.发射结正偏

B.发射结反偏

C.集电结反偏

D.集电结正偏

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第5题

三极管放大条件是()

A.发射极正偏,集电极正偏

B.发射极正偏,集电极反偏

C.发射极反偏,集电极正偏

D.发射极反偏,集电极反偏

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第6题

三极管饱和工作状态的外部条件是()

A.发射结正偏、集电结反偏

B.发射结反偏、集电结正偏

C.发射结正偏、集电结正偏

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第7题

晶体三极管工作在放大区的偏置条件是()。

A.发射结正偏,集电结正偏

B.发射结反偏,集电结反偏

C.发射结正偏,集电结反偏

D.发射结反偏,集电结正偏

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第8题

晶体三极管工作在截止区的偏置条件是()。

A.发射结正偏,集电结正偏

B.发射结反偏,集电结反偏

C.发射结正偏,集电结反偏

D.发射结反偏,集电结正偏

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第9题

晶体三极管工作在饱和区的偏置条件是()。

A.发射结正偏,集电结正偏

B.发射结反偏,集电结反偏

C.发射结正偏,集电结反偏

D.发射结反偏,集电结正偏

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第10题

晶体管在满足什么条件下具有放大作用()

A.发射结反偏、集电结正偏

B.发射结正偏、集电结正偏

C.发射结反偏、集电结反偏

D.发射结正偏、集电结反偏

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