杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅

A.方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越小

B.可以通过测方块电阻来检测扩散进去的单位面积的杂质量

C.方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越大

D.方块电阻的测量可以采用C-V法测量

A.渗透、主动转运

B.均为单纯扩散

C.主动转运、渗透

D.主动转运、易化扩散

E.主动转运、入胞作用

A.源蒸气

B.杂质和惰性气体混合物

C.水蒸气和杂志混合物

D.杂质、惰性气体、水蒸气混合物

A.空位的扩散只与空位的寿命有关。

B.晶体中的扩散是指原子在晶体中的迁移过程，扩散过程得以实现，与缺陷运动密切相关。

C.晶体中原子扩散的本质是不断由一处向另一处作无规则布朗运动。

D.间隙原子可能与空位复合，也可能跳到另一个间隙位置，实现晶体中的扩散。

A.通过气孔

B.通过晶界

C.通过耐火材料中形成的液湘

D.在液相中扩散

E.在耐火材料固相中扩散

A.分凝度

B.固溶度

C.分凝系数

D.扩散系数