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[判断题]

同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小()

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第1题

MIS中的载流子表面迁移率比体内对应的迁移率小()
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第2题

本征半导体中自由电子和空穴数量相同,因此它的导电能力比杂质半导体好()
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第3题

N型半导体中,电子数目少于空穴数目,其导电能力主要由空穴决定。P型半导体中,电子数目多于空穴数目,其导电能力主要由电子决定()
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第4题

半导体自由电子数远多于空穴数称为电子型半导体,简称N型半导体()
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第5题

电子半导体中空穴是多数载流子。()
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第6题

因为P型半导体中空穴多于电子,因此P型半导体呈正电性()
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第7题

本征半导体中,空穴对外呈正电,其电量与电子电量相等()
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第8题

在半导体中由()导电

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.原子

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第9题

半导体的载流子是()

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.离子

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第10题

光敏电阻吸收了光量子能量,使得载流子迁移率增加,导致电导率增加()
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